Le memorie flash che oggi sono tornate alla ribalta come il futuro, in realtà sono un’invenzione degli anni ’80, scaturita dalla collaborazione tra Toshiba e Samsung. Ovviamente quelle di oggi sono diverse, grazie ai miglioramenti nella loro fabbricazione, ma il concetto rimane lo stesso: si utilizzano delle porte NAND miniaturizzate (l’unione in serie di una AND e una NOT), ovvero un circuito di transistor che dà un valore “falso” quando tutti gli input sono “veri”.Le NAND, essendo più piccole ed economiche delle NOR vinsero la battaglia, fino a quando le crescenti domande di storage, in termini di grandezza, non le hanno relegate a circuiti integrati molto importanti, ma poco “visibili” ai consumatori (come il Bios, circuiti militari ecc). Le memorie SSD oggi le stanno dando una seconda vita, ma c’è chi sta già pensando alla “terza”: si tratta di disporre le memorie NAND in parallelo, creando una memoria a tre dimensioni. Per chiarire, immaginate di vedere un’immensa distesa di porte NAND disposte in serie; ora appoggiate decine di strati di quelle porte una sopra l’altra, creando così una sorta di palazzo di NAND. Keyvan Esfarjani, co-amministratore delegato di IM Flash Technologies, ha dichiarato che serviranno 32-64 “piani” per avere un aumento sufficiente a coprire i costi di produzione e, inoltre, che con questo concetto tridimensionale si potrebbe superare l’architettura prevista dal 2015, che permetterà ai gate dei transistor una grandezza di 10Nm.
